日本酸素ホールディングスグループの日本産業ガス事業会社である大陽日酸株式会社（本社：東京都品川区 代表取締役社長：永田 研二）は、スウェーデンのLund大学に当社製MOCVD装置^※1を納入することが決定しましたのでお知らせいたします。

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　Lund大学が採用した当社製MOCVD装置（型式：FR2000-OX）は、ワイドバンドギャップ半導体^※2の新材料の一つである酸化ガリウム(β-Ga₂O₃)の高品質な成膜を可能とし、パワーエレクトロニクス向け酸化ガリウム半導体の開発に貢献することが期待されます。
　本装置は、初めて欧州地域に導入される当社製のⅢ族セスキ酸化物結晶成長装置です。当社は同大学と協力し、先進的な酸化ガリウム半導体デバイスの研究開発を支援することで、当社製MOCVD装置のグローバル市場に対する優位性が高まることを期待しています。

※1 MOCVD（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）装置：原料に有機金属やガスを用いながら基板上に化合物半導体の成膜を行う装置。
※2 ワイドバンドギャップ半導体：窒化アルミニウムや酸化ガリウムなど、電子やホールが価電子帯から伝導体に遷移するためのエネルギー値が高い半導体。その特性は、高温での動作や高電圧での動作に優れ、高電力・高周波アプリケーションや高温環境での使用に適しているとされている。

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